电子科学与工程学院国家ASIC工程中心孙伟锋教授团队在氮化镓(GaN)功率驱动芯片技术上的最新研讨功效成功颁发在集成电路设想范畴第一流别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。该研讨功效为:“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay Compensation Technique Achieving 22.5% Turn-on Energy Saving”,是一种针对第三代半导体GaN功率器件栅极控制的延时抵偿分段驱动技术,可有用减缓开关消耗和EMI的折衷关系。该论文是中国大陆在ISSCC会议上颁发的第一篇关于高压(600V品级)GaN驱动技术的论文。